Главная Технологии Высокочастотные фотоприемники на основе КРТ
Контакты English

Высокочастотные фотоприемники на основе КРТ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ  ФОТОПРИЕМНИКИ  НА  ОСНОВЕ  КРТ

Image
Высокочастотный фотодиод

 

Данные приемники могут применяться как при прямом детектировании, так и при гетеродинном приеме.

Области применения:

  • в лидарах для дистанционного зондирования атмосферы в научных и экологических целях,
  • в радарах для измерения скорости, высоты, направления и дальности движения объекта.

Очень важное и актуальное применение связано с наблюдением слабозаметных подвижек земной коры для ранней диагностики землетрясений и повышенной вулканической деятельности.

Детекторы являются также базовым элементом диагностических методов исследования свойств высокотемпературной (термоядерной) плазмы и свойств веществ, определяемых по взаимодействию с терагерцовым излучением.

Фотоприемники используются в настоящее время в ИЯФ СО РАН для диагностики высокотемпературной плазмы:

  • исследование прямым методом локальной динамики ионно-звуковой турбулентности плазмы, как основного механизма эффективного нагрева плазмы;
  • регистрация ленгмюровской турбулентности, как источника повышенного нагрева плазмы в максимумах магнитного поля гофрированной ловушки.

 

    Технические характеристики

    Длина волны в максимуме  чувствительности, мкм 9,9
    Длинноволновая граница спектральной чувствительности по уровню 0,1λ0,1, мкм 11,0
    Размер фоточувствительной площадки, мкм диаметр 250
    Быстродействие, нс  10
    Пороговая мощность в максимуме чувствительности при прямом детектировании, ВтГц-0,5 3,8×10-13
    Пороговая мощность в максимуме чувствительности при гетеродинном приеме, ВтГц-1 10-19
    Рабочая температура, К 77-78
    Параметры криостата:
    - габаритные размеры, мм3 
    - входное окно
    - время непрерывной работы при одной заливке, часов
    - апертурный угол ФЧЭ, ограниченный охлаждаемой диафрагмой, 
     
    70×90×140
    Сменное
    8
    30
    Параметры предусилителя:
    - полоса частот, ГГц
    - коэффициент усиления  
     
    1
    10

 

Институт физики полупроводников СО РАН